这是因为RAM厂商仿效了CPU厂商的做法,设法让RAM在每个RAM时钟周期发送两倍的信息*。这就是在RAM速度等级中DDR的由来。它代表了Double Data Rate(两倍数据速度)。所以DDR 400意味着RAM在400MHz的有效速度下运转,DDR 400中的400代表了时钟速度。因为它每个时钟周期发送两次指令,那就意味着它真正的工作频率是200MHz。这很像AMD的“二芯”FSB。
通常RAM和CPU是唯一重要的限制因素,特别是在AMD系统中由于内存异步运行而固有的问题(参见下面的FSB章节)。RAM不得不运行在跟FSB相同的速度或是它的分频频率下。内存可以运行在比FSB高的速度下,而不仅仅是低于它。不过有了运行更高延时/更高内存电压的选择,它变得越来越不像限制因素了,特别是因为新的平台(P4和A64)从异步运行中承受了更少的性能损失。CPU已经变成了主要的限制因素。唯一处理无法运行得更快的CPU的方法就是加电压,不过超过最大核心电压会缩短芯片的寿命(虽然超频也会这样),但充分的散热部分解决了这个问题。伴随着使用太高核心电压的另一个问题在P4平台上以SNDS,或者说是Sudden Northwood Death Syndrome(突发性死亡综合症)的形式出现,使用高于1.7v的任何电压会导致处理器迅速而过早的报废,就算采用相变散热也不行。然而,新的C核心芯片,即EE芯片,及Prescott芯片没有这个问题,至少范围不同。散热也能妨碍超频,因为太高的温度会导致不稳定。但如果系统是稳定的话,那么温度通常不会太高。
FSB(或是Front Side Bus,前端总线)是超频最容易和最常见的方法之一。FSB是CPU与系统其它部分连接的速度。它还影响内存时钟,那是内存运行的速度。一般而言,对FSB和内存时钟两者来说越高等于越好。然而,在某些情况下这不成立。例如,让内存时钟比FSB运行得快根本不会有真正的帮助。同样,在Athlon XP系统上,让FSB运行在更高速度下而强制内存与FSB不同步(使用稍后将讨论的内存分频器)对性能的阻碍将比运行在较低FSB及同步内存下要严重得多。