英特尔称22纳米制程移动芯片明年量产
新浪科技讯 北京时间12月11日早间消息，英特尔今天宣布，采用22纳米制造工艺生产的芯片将于2013年量产，与高通等企业争夺快速发展的移动设备市场。作为全球第一大芯片制造商，英特尔主导PC市场，但在看重能耗效率的移动处理器领域却进展缓慢。
英特尔周一在旧金山的一次行业会议上公布了使用22纳米工艺生产SoC(片上系统)的流程。该公司在演讲稿中说：“英特尔的22纳米SoC技术已经做好了2013年量产的准备。”
英特尔目前的SoC采用32纳米工艺，高通的顶级SoC为28纳米，Nvidia为40纳米。纳米级越低，能耗效率就越高。
此外，英特尔去年五月推出3D晶体管架构，使得芯片能够在更低电压下运行，并进一步减少漏电量。与之前最先进的晶体管相比，它的性能更高、能效更低。传统芯片的晶体管都为平面晶体管。英特尔将这种3D晶体管技术叫“三栅极(TriGate)”，至今还没有将它应用到智能手机、平板芯片中。
英特尔的3D“三栅极”晶体管架构是一种革命性变革。英特尔当时表示，Ivy Bridge酷睿系列处理器将是首批采用3D晶体管批量生产的芯片，将可用于笔记本电脑、服务器和台式机。随后，英特尔凌动处理器也将采用最新的3D晶体管，但目前还没有具体时间表。
市场研究公司Moor Insights & Analysis分析师帕特里克·莫海德(Patrick Moorhead)表示，英特尔已经开始生产22纳米芯片，但由于SoC需要将更多功能整合到硅片中，因此制造工艺更加复杂。“要生产有竞争力的移动芯片，他们已经万事俱备，但在2013年之前，我们无法知道他们是否会这么做。”他说。
尽管英特尔在制造工艺上的行业领导地位非常稳固，但竞争对手和很多华尔街分析师却认为，该公司的SoC设计无法抗衡高通、苹果和其他采用ARM架构的企业
http://tech.sina.com.cn/it/2012-12-11/08217875368.shtml
intel不愧是半导体领域的巨头
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